MOS管工作原理动画图还有N通道和P通道两种类型
作者:admin | 发布时间:2019-05-28 11:06 | 浏览次数:

绝缘场效应晶体管的栅极由源极,栅极和漏极之间的SiO2绝缘层隔离,因此得名。由于浇口由金属铝制成,因此也称为MOS管。它的栅极 - 源极电阻比结FET大得多,高达1010欧姆;如上所述,它也被广泛使用,因为它具有比结FET更好的温度稳定性和集成期间的简单温度。在大规模和超大规模的集成电路中。

像结型场效应晶体管一样,MOS管的工作原理动画图也有N沟道和P沟道两种类型,但每一类分为增强型和耗尽型,因此四种类型的MOS管是:N沟道增强型管,N沟道耗尽管,P沟道增强管,P沟道耗尽管。当栅极 - 源极电压UGS为零时,漏极电流为零的管是增强管。当栅极 - 源极电压UGS为零时,漏极电流不为零的管是耗尽管。 。

MOSFET根据导电方式分为增强型和耗尽型。所谓的增强型意味着当VGS=0时,管处于关闭状态,并且在添加正确的VGS之后,大多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”该区域中的载流子以形成导电通道。 。

N沟道增强MOSFET基本上是左右对称拓扑。它在P型半导体上产生SiO2 薄膜绝缘层,然后光刻扩散两个高度掺杂的N型区域。 N型区域通向电极,一个是漏极D,另一个是源极S.金属铝层作为栅极G镀在源极和漏极之间的绝缘层上。

当VGS=0  V时,漏极和源极之间有两个背靠背二极管。在D和S之间施加电压不会在D和S之间形成电流。

当向栅极施加电压时,如果0 <0。 VGS&lt; VGS(th),栅极附近的P型半导体中的多子孔被栅极和衬底之间形成的电容电场向下排斥。 ,出现一层薄薄的负离子耗尽层;同时,它会将少数它们吸引到表面层,但数量有限,不足以形成导电沟道,漏极和源极通信,因此仍然不足以形成漏极电流ID。

进一步增加VGS,当VGS> VGS(th)(  VGS(th)称为导通电压)时,由于此时栅极电压已经相对较强,更多的是在P型半导体表面层附近累积门。电子可以形成沟通漏极和源极的通道。如果此时施加漏 - 源电压,则可以形成漏极电流ID。形成在栅极下方的导电沟道中的电子称为反型层,因为它们的极性与P型半导体的载流子相反。随着VGS的持续增长,ID将继续增加。当VGS=0V,ID=0时,漏极电流仅在VGS> 0之后出现。 VGS(th)的。因此,该MOS晶体管称为增强型MOS晶体管。

VGS与漏极电流的控制关系可以用曲线iD=f(VGS(th))| VDS=const来描述,其被称为传递特性曲线。 MOS管的动画如图1所示。

传输特性曲线的斜率gm的大小反映了栅极 - 源极电压对漏极电流的控制效果。  gm的尺寸是mA/V,因此gm也称为跨导。跨。

相关文章: