GaN是实现5G的关键技术,Qorvo引领了5G时代的三大
作者:admin | 发布时间:2019-06-07 10:37 | 浏览次数:

当我们进入5G时代时,我们需要在更高的通信频段满足高效率,大带宽,小尺寸和低成本。要实现这些5G目标,需要不断推进技术和系统设计。业界普遍认为,GaN将取代传统的半导体材料用于5G网络应用。这种高效率,宽带隙,高功率密度和可靠的功率PA技术逐年大大提高了网络效率。如今,GaN广泛用于BTS市场,并继续呈现上升趋势。

3月21日,着名的“2019年电力与复合半导体国际论坛”在上海浦东嘉里大酒店SEMICON China成功举办。 Qorvo高级销售经理James Huang出席了论坛并发表演讲,解释了GaN如何满足5G技术的新需求,并强调Qorvo领导5G时代的三大优势。

Qorvo高级销售经理James Huang出席了论坛

为什么GaN是实现5G的关键技术?

目前,基站的功率放大器主要是基于硅的横向扩散金属氧化物半导体LDMOS技术,但LDMOS技术仅适用于低频带,并且在高频应用中具有局限性。换句话说,GaN具有更高功率密度和更高截止频率的优势(截止频率,输出信号功率超过或降低导通频率下输出信号功率的频率),尤其是在5G多输入多输出(Massive MIMO)中)应用程序。实现高度集成的解决方案。

同时,对于给定的功率水平,GaN具有尺寸小的优点。使用更小的器件,可以减小器件电容,使更高带宽系统的设计更容易。

同时,为了满足各种5G要求,GaN制造商需要在各种频率和功率水平上提供多种变体。通过多种GaN工艺可供选择,设计人员可以将GaN技术与应用进行最佳匹配。 Qorvo目前拥有世界一流的GaN全工艺生产技术,可提供从20伏,28伏,36伏,48伏至65伏的QGaN50到QGaN09的各种电压。这些是Qorvo 5G长期未来和现在4G通信技术的技术储备。

例如,在高电压和低频范围内,Qorvo的0.25微米高压技术(即QGaN 25HV)开始起作用。 QGaN25HV允许我们使用0.25和微米(m)器件将电压提高到48V,从而实现高增益和高功效。 QGaN25HV非常适用于向6GHz移动的5G基站。在L和S波段之间的较低4G频率下,我们的最高功率密度为0.5微米技术,每毫米高达10W。在高频应用中,Qorvo目前的GaN工艺产品组合包括0.15微米的高频技术。

Qorvo领导了5G时代的三大优势

此外,由于5G的脚步临近,不仅加快了更换的半导体材料,但各大厂商之间的竞争越来越激烈,他们正试图抓住在5G时代的主导地位。作为全球领先的IDM制造商,Qorvo有能力为客户提供完整的解决方案。据James介绍,Qorvo在5G时代的核心技术优势主要体现在三个方面:制造工艺,封装技术和大规模生产带来的低成本优势。

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